INFINEON SETZT NEUEN MEILENSTEIN IN DER GAN-TECHNOLOGIE

Der Infineon Technologies AG ist es gelungen, am Standort Villach die weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Diese bahnbrechende Innovation wird nicht nur die GaN-Industrie revolutionieren, sondern auch die Produktionseffizienz erheblich steigern und eine kostengünstigere Fertigung ermöglichen.

VILLACH ALS INNOVATIONSZENTRUM

Der Standort Villach spielt eine zentrale Rolle in der Entwicklung dieser innovativen Technologie. Hier, in der Power-Fab, ist die Herstellung der neuen Wafer gelungen. Die 300-Millimeter-GaN-Produktion wird in bestehende Fertigungslinien integriert, was einen schnellen Marktzugang und einen effizienten Kapitaleinsatz ermöglicht. Diese strategische Entscheidung wird dazu beitragen, dass Infineon eine führende Rolle im wachsenden GaN-Markt einnimmt, dessen Wert bis zum Ende des Jahrzehnts auf mehrere Milliarden US-Dollar geschätzt wird.

VORTEILE DER 300-MILLIMETER-GAN-TECHNOLOGIE

Die Umstellung auf 300-Millimeter-Wafer bringt erhebliche Vorteile. Im Vergleich zu herkömmlichen 200-Millimeter-Wafern können 2,3-mal mehr Chips pro Wafer produziert werden. Dies führt nicht nur zu einer erhöhten Produktionseffizienz, sondern auch zu einer Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten der Endprodukte. Dank der bereits bestehenden 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung kann Infineon die Kosten der GaN-Produktion weiter senken. Langfristig wird angestrebt, die Kosten von GaN auf das Niveau von Silizium zu bringen.

VIELSEITIGE EINSATZMÖGLICHKEITEN

Die neue GaN-Halbleitertechnologie bietet vielseitige Anwendungsmöglichkeiten in den Bereichen Industrie, Automotive und Consumer-Elektronik. Beispiele reichen von der Stromversorgung für KI-Systeme über Solarwechselrichter bis hin zu Ladegeräten und Motorsteuerungssystemen. Die fortschrittliche Fertigungstechnologie verbessert dabei nicht nur die Leistung, sondern gewährleistet auch eine stabile Versorgung für Kunden weltweit.

BLICK IN DIE ZUKUNFT

Der Durchbruch von Infineon markiert einen bedeutenden Schritt in der Halbleiterbranche. Das Unternehmen plant, seine GaN-Kapazitäten weiter auszubauen, um die steigende Nachfrage zu decken. Die offizielle Vorstellung der neuen 300-Millimeter-GaN-Technologie wird auf der electronica im November 2024 in München erfolgen.

Mit diesem technologischen Meilenstein setzt Infineon erneut ein starkes Zeichen in der globalen Halbleiterindustrie und treibt die Entwicklung in Richtung einer energieeffizienten, digitalen Zukunft voran.